博客來 2018-11-18 12:49
〔記者蔡彰盛／新竹報導〕國際電機電子工程師學會（IEEE）所屬的ETA KAPPA NU （HKN）榮譽學會，選出本年度的Vladimir Karapetoff科技終身成就獎得主-國立交通大學校長、中央研究院院士張懋中博士，因他對超高頻半導體通訊元件和系統晶片的創新突破，及其對近代電子學和人類生活、文明所產生的不可或缺影響，榮獲2018 Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章，17日於加拿大溫哥華年會中接受表揚。
Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章於1992年成立，旨在表彰工程及科學領域的傑出終身成就。曾獲得2000年諾貝爾物理獎的Jack Kilby；獲得美國總博客來網路書局統科學獎章的Tom Kailath；獲得京都獎（Kyoto Prize）的DRAM發明人Robert Dennard；以及發明LED並獲得美國總統科學及工程雙獎章的Nick Holonyak都曾是歷任得主。
張懋中在1990年代於美國洛克威爾科學中心（Rockwell Science Center）高速電子實驗室，帶領團隊完成異質結雙極性高速電晶體（HBT） 與積成電路的研究與開發，在成功量產後成為歷代智慧手機必備發射器關鍵元件。所開發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器，在全球獨占鰲頭，已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對無線通訊產業及學術界造成顛覆性的貢獻。
他也對超高頻無線及混合信號之積成電路及系統在通信、雷達、聯結、影像、及光譜等系統的研究及開發貢獻卓著，使其成為基礎研究和實際應用雙領域首屈一指的先驅學者。張懋中曾榮膺美國國家工程學院（National Academy of Engineering）院士、美國發明家學院（National Academy of Inventors）院士和中央研究院院士等殊榮。去年也榮獲大不列顛工程與科技學會（IET）之 J. J. Thomson 獎章，在全球工程學界享有崇高的學術聲望。此次獲得2018 Vladimir Karapetoff 科技終身成就獎，再次肯定他在教育及學術上的全球領導地位。
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〔記者蔡彰盛／新竹報導〕國際電機電子工程師學會（IEEE）所屬的ETA KAPPA NU （HKN）榮譽學會，選出本年度的Vladimir Karapetoff科技終身成就獎得主-國立交通大學校長、中央研究院院士張懋中博士，因他對超高頻半導體通訊元件和系統晶片的創新突破，及其對近代電子學和人類生活、文明所產生的不可或缺影響，榮獲2018 Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章，17日於加拿大溫哥華年會中接受表揚。
Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章於1992年成立，旨在表彰工程及科學領域的傑出終身成就。曾獲得2000年諾貝爾物理獎的Jack Kilby；獲得美國總博客來網路書局統科學獎章的Tom Kailath；獲得京都獎（Kyoto Prize）的DRAM發明人Robert Dennard；以及發明LED並獲得美國總統科學及工程雙獎章的Nick Holonyak都曾是歷任得主。
張懋中在1990年代於美國洛克威爾科學中心（Rockwell Science Center）高速電子實驗室，帶領團隊完成異質結雙極性高速電晶體（HBT） 與積成電路的研究與開發，在成功量產後成為歷代智慧手機必備發射器關鍵元件。所開發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器，在全球獨占鰲頭，已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對無線通訊產業及學術界造成顛覆性的貢獻。
他也對超高頻無線及混合信號之積成電路及系統在通信、雷達、聯結、影像、及光譜等系統的研究及開發貢獻卓著，使其成為基礎研究和實際應用雙領域首屈一指的先驅學者。張懋中曾榮膺美國國家工程學院（National Academy of Engineering）院士、美國發明家學院（National Academy of Inventors）院士和中央研究院院士等殊榮。去年也榮獲大不列顛工程與科技學會（IET）之 J. J. Thomson 獎章，在全球工程學界享有崇高的學術聲望。此次獲得2018 Vladimir Karapetoff 科技終身成就獎，再次肯定他在教育及學術上的全球領導地位。
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